企业官网建设流程全解析

内核
超高速8051内核(1T)，比传统8051约快12倍以上
√指令代码完全兼容传统8051
√17个中断源，4级中断优先级
√支持在线仿真
工作电压
V 1.9V~5.5V
√ 内建 LDO
工作温度
√-40℃~85℃(超温度范围应用请参考电器特性章节说明)
Flash存储器
最大12K字节FLASH程序存储器(ROM)，用于存储用户代码√支持用户配置EEPROM大小，512字节单页擦除，擦写次数可达10万次以上支持在系统编程方式(ISP)更新用户应用程序，无需专用编程器√支持单芯片仿真，无需专用仿真器，理论断点个数无限制
SRAM