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在 STM32 单片机（改良哈佛架构）中，Flash 负责存程序（ROM），RAM 负责存运行数据。

我们实际开发接触的 RAM 主要分为两种：片内 SRAM、外接 SDRAM（属于 DRAM）。二者原理、特性、工程用途区分明确，是嵌入式开发核心基础知识点。

ROM:Read Only Memory只读存储器/程序存储器

RAM: Random Access Memory随机读写存储器/数据存储器

一、SRAM 静态随机存储器（STM32 片内内存）

1. 核心原理

由晶体管触发器电路构成，无电容，依靠电路锁存状态保存数据，属于静态存储结构。

2. 关键特性（工程核心）

• 无需刷新：通电数据即可保持，无需硬件定时刷新，驱动简单、稳定性高；

• 速度极快：CPU 零等待访问，读写延迟极低；

• 容量小、成本高：电路结构复杂，芯片集成容量有限，多为 KB~百 KB 级别。

3. STM32 实际用途

所有 STM32 单片机片内自带 RAM 均为 SRAM，是日常开发最常用内存：

• 存放全局变量、局部变量、堆栈数据；

• 用作普通数据缓存、外设缓冲区、DMA 缓存；

• 适配裸机、小型 RTOS 常规项目，无需额外硬件。

二、DRAM 动态随机存储器（STM32 外接 SDRAM）

STM32 工程中所说的外接 SDRAM，是 DRAM 的衍生分支，是单片机扩容大容量内存的核心方案。

1. 核心原理

采用晶体管+电容极简结构，通过电容储存电荷表示数据 0/1，结构简单、极易做大容量。

2. 关键特性（工程核心）

• 必须定时刷新：电容存在漏电，电荷会流失，需要单片机 FMC 外设定时刷新，否则数据丢失；

• 速度低于 SRAM：存在读写等待时序，访问速度弱于片内 SRAM；

• 容量大、成本低：可实现 MB 级大容量内存扩容，硬件成本低廉。

3. STM32 实际用途

仅高端 STM32（F4、H7 等）搭载 FMC 外设，支持外接 SDRAM，专门用于大内存需求场景：

• LCD 图片显存、图像缓存、音视频数据缓存；

• 大型 RTOS 内存池、多任务大容量缓冲区；

• 片内 SRAM 容量不足时的专属扩容方案。

三、STM32 开发核心对比（精华）

四、总结

• SRAM：STM32 片内高速内存，无需刷新、速度快、容量小，满足日常基础开发；

• DRAM(SDRAM)：外接大容量内存，需要刷新、速度稍慢、容量大，用于高端复杂项目扩容；

• 二者均为 RAM（数据存储器），断电数据丢失，仅用于运行临时数据，与存储程序的 Flash（ROM）完全区分。