1. 拆解前的认知准备:晶振到底在手表里扮演什么角色
智能手表能计时、能测心率、能连蓝牙、能跑各种传感器,背后有一个不起眼但极其关键的元件在默默支撑,那就是晶振。很多人拆开手表第一眼看到的是电池、屏幕排线、主控芯片,往往忽略了主板上那几个银色的小方块或小圆柱。实际上,没有晶振,整块手表连最基本的时间显示都做不到。
晶振的全称是石英晶体谐振器,它的核心原理是利用石英晶体的压电效应——给晶体施加电压它会振动,振动频率又极其稳定。把这个稳定的振动频率作为基准,系统就能精确地“数秒”。你可以把它理解成整个电路系统的“心跳起搏器”,没有它,数字电路就是一堆不会动的硅片。
在可穿戴设备这个品类里,晶振的选型和布局比手机、电脑更苛刻。原因很简单:手表内部空间极小,电池容量有限,还要同时跑蓝牙、GPS、心率传感器、加速度计等多个模块。每个模块对时钟频率的需求不同,有的要32.768kHz做低功耗计时,有的要24MHz或48MHz给主控和射频做高速时钟。这些晶振全部要塞进一块指甲盖大小的PCB上,还要保证互不干扰,这就是可穿戴设备硬件设计的核心难点之一。
这篇文章适合谁看?如果你是硬件工程师、嵌入式开发者、电子爱好者,或者单纯对智能手表内部构造好奇,想搞清楚晶振在可穿戴设备里的真实存在感和设计门道,那接下来的内容会从拆解视角出发,把晶振的类型、参数、布局、电路设计和常见问题全部讲透。我会结合一块典型智能手表的主板实拆,把每个晶振的位置、作用、选型逻辑都拆开来说。
2. 智能手表主板实拆:晶振藏在哪些角落
2.1 拆解工具与安全注意事项
拆智能手表和拆手机不太一样,手表体积小、螺丝更细、排线更脆弱,工具选择上要更精细。我常用的工具组合是这样的:
- 加热台或热风枪:温度设定在80到100摄氏度之间,用来软化屏幕胶水。温度千万别超过120度,否则屏幕偏光片会起泡报废。
- 精密螺丝刀套装:手表后盖通常用T2或T3梅花螺丝,部分型号用十字或五角螺丝,需要提前确认。
- 塑料撬棒和吸盘:金属撬棒容易刮伤外壳和划断排线,塑料撬棒是首选。
- 防静电手环和防静电垫:手表主控芯片对静电非常敏感,尤其是晶振这种压电元件,静电击穿后外观完全看不出来但频率会漂移。
- 放大镜或体视显微镜:晶振封装很小,3225封装(3.2mm x 2.5mm)已经算大的,很多手表用的是2016甚至1612封装,肉眼很难看清丝印。
注意:拆解前务必断开电池连接。智能手表即使关机,电池仍然给RTC电路供电,带电操作时金属工具碰到晶振引脚可能造成短路,直接烧毁芯片。
2.2 主板上的晶振分布实况
拆开一块典型的运动智能手表后,主板通常是一块不规则形状的PCB,面积大约在20mm x 30mm左右。在这块小板上,我实际找到了四颗晶振,分别承担不同职责:
第一颗:32.768kHz圆柱晶振或贴片晶振,位置通常紧挨着主控芯片的RTC引脚。这颗晶振负责实时时钟,也就是手表关机后仍然维持时间走动的那个“后台时钟”。它的频率是2的15次方,经过15级二分频后正好得到1Hz的秒信号。这颗晶振的精度直接决定了手表走时的月误差。
第二颗:24MHz或26MHz贴片晶振,一般靠近蓝牙或Wi-Fi射频芯片。这颗晶振为射频收发提供载波基准,频率精度要求极高,通常需要±10ppm以内,否则蓝牙连接会不稳定甚至无法配对。
第三颗:32MHz或48MHz晶振,靠近主控MCU或SoC。这是系统主时钟的来源,经过PLL倍频后给CPU核心、内存控制器、外设总线提供工作时钟。频率越高,芯片运行越快,但功耗也越大。
第四颗:MEMS晶振或硅振荡器,部分新款手表开始用MEMS替代传统石英晶振,尤其是在运动检测和传感器融合模块中。MEMS晶振的抗冲击性能远优于石英晶振,适合运动场景。
下面这张表可以帮你快速对照不同晶振在手表中的典型参数:
| 晶振类型 | 典型频率 | 封装尺寸 | 精度要求 | 主要服务模块 | 功耗等级 |
|---|---|---|---|---|---|
| 石英贴片晶振 | 32.768kHz | 3215/2012 | ±20ppm | RTC实时时钟 | 极低 |
| 石英贴片晶振 | 24/26MHz | 3225/2016 | ±10ppm | 蓝牙/Wi-Fi射频 | 中等 |
| 石英贴片晶振 | 32/48MHz | 3225/2016 | ±15ppm | 主控SoC | 中等 |
| MEMS振荡器 | 1-100MHz可编程 | 2016/1612 | ±20ppm | 传感器融合 | 低 |
| 陶瓷谐振器 | 4-16MHz | 3215 | ±0.5% | 低成本外设 | 低 |
2.3 为什么手表里晶振数量比手机还多
有人可能会问,手机主板那么大,晶振也就三四颗,手表这么小为什么也要这么多?核心原因在于功能隔离。手机的主控芯片集成度极高,很多时钟在片内通过PLL生成,外部只需要一两颗基准晶振。但手表的SoC往往不是为可穿戴专门设计的,或者为了省电而牺牲了集成度,导致很多模块需要独立的外部时钟源。
另外,手表的低功耗要求使得RTC必须独立供电、独立计时,不能依赖主控的高速时钟。如果RTC和系统主时钟共用一颗晶振,那主控休眠时RTC也会停,手表就失去了“永远在线”的时间基准。所以32.768kHz晶振在手表里几乎是标配,而且必须独立布局、独立供电。
3. 32.768kHz晶振电路设计:手表走时精度的命门
3.1 32.768kHz晶振的电气参数解读
32.768kHz晶振看起来简单,但选型和电路设计上有不少门道。先看几个关键参数:
负载电容(CL):这是晶振最重要的参数之一。石英晶振的标称频率是在特定负载电容下测得的,常见值有6pF、7pF、9pF、12.5pF。如果电路上的实际负载电容和晶振标称值不匹配,频率就会偏移。偏移量可以用下面的公式估算:
Δf/f ≈ (CL_实际 - CL_标称) × 2 × 10^-6
举个例子,一颗标称7pF负载电容的晶振,实际电路负载电容是9pF,频率偏移大约是(9-7)×2×10^-6 = 4ppm。换算成月误差就是4×30×24×3600×10^-6 ≈ 10.4秒。一个月差十秒,对于手表来说已经很明显了。
等效串联电阻(ESR):这个参数决定了晶振起振的难易程度。32.768kHz晶振的ESR通常在30kΩ到90kΩ之间,低功耗设计要选ESR小的,否则驱动电路需要更大的激励功率,反而增加功耗。但ESR太小也有风险,容易过驱动导致晶振老化加速。
温度特性:石英晶振的频率会随温度变化,32.768kHz晶振的典型温度曲线是抛物线型,在25摄氏度附近最准,偏离越远误差越大。手表戴在手腕上,温度基本稳定在30到35摄氏度,所以实际走时误差会比实验室数据略大。
激励功率:晶振的驱动功率不能太大也不能太小。太大加速老化,太小不起振。典型32.768kHz晶振的推荐激励功率在0.1μW到1μW之间。计算方法是测量流过晶振的电流有效值,然后乘以晶振两端的电压有效值。
3.2 晶振电路的外围元件计算
32.768kHz晶振的典型电路是一个皮尔斯振荡器,由晶振、两个负载电容、一个反馈电阻和一个限流电阻组成。下面逐个说明:
负载电容C1和C2:这两个电容串联后再与晶振的寄生电容并联,构成实际负载电容。公式是:
CL = (C1 × C2) / (C1 + C2) + Cstray
其中Cstray是PCB走线和芯片引脚的寄生电容,通常在2pF到5pF之间。假设晶振标称负载电容是7pF,Cstray估算为3pF,那么(C1×C2)/(C1+C2)需要等于4pF。如果C1=C2,则每个电容是8pF。实际选型时通常取C1=C2=8pF或10pF,然后通过实测频率微调。
反馈电阻Rf:这个电阻的作用是给振荡器提供直流偏置,让反相器工作在线性区。典型值在1MΩ到10MΩ之间。阻值太小会降低增益,太大则容易受噪声干扰。大多数MCU内部已经集成了这个电阻,外部不需要再加。
限流电阻Rs:串联在晶振和反相器输出之间,用来限制激励功率。典型值在100Ω到1kΩ之间。如果发现晶振起振困难,可以适当减小Rs;如果发现频率漂移过快或晶振发热,就要增大Rs。
实操心得:很多新手会忽略Cstray的存在,直接按晶振标称负载电容选C1和C2,结果频率偏了几十ppm。我的做法是先用理论值选电容,然后用频率计实测32.768kHz输出,根据偏差调整电容。如果频率偏正,说明负载电容偏小,需要增大C1和C2;反之则减小。
3.3 布局布线对走时精度的影响
晶振电路的布局是硬件设计中最容易被忽视但影响最大的环节。我见过太多案例,原理图完全正确,但PCB布局一塌糊涂,导致晶振频率漂移、起振困难甚至完全不起振。
布局原则一:晶振尽量靠近芯片引脚。走线越长,寄生电容和寄生电感越大,不仅影响频率精度,还容易引入噪声。理想情况下,晶振到芯片的距离不超过5mm,走线宽度控制在6mil到8mil。
布局原则二:负载电容的地线要短而粗。C1和C2的接地端应该直接连到芯片的GND引脚,不要绕远路。地线回路面积越小,抗干扰能力越强。
布局原则三:晶振下方禁止走任何信号线。尤其是高频信号线和电源线。晶振本身是一个高阻抗元件,下方的任何噪声都会耦合进来。如果PCB层数允许,晶振下方应该铺完整的地铜皮。
布局原则四:晶振远离发热元件。电池、充电芯片、功率电感都是发热大户,晶振靠近它们会导致温度漂移。在手表这种密闭空间里,热设计尤其重要。
布局原则五:晶振外壳接地。对于贴片晶振,外壳通常有接地焊盘,一定要焊接到地。这层接地屏蔽能有效隔离外部电磁干扰。
下面是一个典型的32.768kHz晶振布局检查清单:
| 检查项 | 要求 | 常见错误 |
|---|---|---|
| 晶振到芯片距离 | <5mm | 放在板边远离主控 |
| 负载电容地线 | 直接连芯片GND | 共用长地线 |
| 晶振下方走线 | 禁止 | 下方走SPI或电源线 |
| 晶振与发热源距离 | >10mm | 紧贴充电IC |
| 外壳接地 | 必须 | 悬空或只焊一个脚 |
| 包地处理 | 建议 | 周围无地铜皮 |
4. 高速晶振与MEMS晶振在手表中的应用差异
4.1 24MHz射频晶振的选型要点
蓝牙和Wi-Fi射频对时钟的要求比RTC苛刻得多。以蓝牙为例,蓝牙协议要求载波频率精度在±20ppm以内,实际设计中通常要求晶振精度在±10ppm以内,而且相位噪声要低。24MHz是蓝牙芯片最常见的参考时钟频率,因为蓝牙的2.4GHz载波可以通过24MHz倍频100次得到。
选型时要注意几个参数:
频率精度:包括初始精度、温度精度和老化精度。初始精度通常±10ppm,温度精度±10ppm,年老化±3ppm。加起来最坏情况可能超过20ppm,所以高端蓝牙芯片会要求晶振总精度在±10ppm以内,或者芯片内部集成电容修调功能。
相位噪声:这个参数决定了蓝牙信号的调制质量。相位噪声太差会导致误码率升高、连接距离缩短。典型24MHz晶振的相位噪声在1kHz偏移处应该在-140dBc/Hz以下。
起振时间:蓝牙芯片从休眠唤醒到建立连接需要快速起振。晶振的起振时间通常在1ms到5ms之间,低功耗蓝牙要求起振时间越短越好,因为起振期间芯片功耗较高。
负载电容匹配:和32.768kHz晶振一样,24MHz晶振的负载电容也要匹配。射频晶振通常用9pF或12pF负载电容,电路设计时要根据芯片手册推荐的电容值来选。
4.2 MEMS晶振为什么开始进入可穿戴设备
MEMS晶振是用微机电系统工艺制造的硅基振荡器,和传统石英晶振相比有几个明显优势:
抗冲击和抗振动:石英晶振是机械振动元件,摔落或剧烈运动时容易损坏或频率突变。MEMS晶振的硅结构要坚固得多,能承受超过10000g的冲击。对于运动手表来说,这个特性非常重要。
可编程频率:MEMS晶振可以在出厂后通过编程设置输出频率,范围通常从1MHz到100MHz。这意味着同一颗物料可以覆盖多种频率需求,简化供应链管理。
更小的封装:MEMS晶振可以做到1612甚至1210封装,比同频率的石英晶振小一圈。对于空间极度紧张的手表来说,每一毫米都珍贵。
更低的功耗:部分MEMS振荡器的功耗比石英晶振低30%到50%,尤其是在高频输出时优势更明显。
但MEMS晶振也有短板。相位噪声通常比石英晶振差,高端射频应用还是更倾向石英。频率精度在常温下可以做到±10ppm,但温度稳定性不如TCXO(温度补偿晶振)。成本目前还是比普通石英晶振高,尤其是高精度型号。
我的判断是,在可穿戴设备里,32.768kHz RTC还是石英晶振的天下,因为石英在低频下的功耗和精度综合优势太明显。但高速时钟和传感器时钟,MEMS的渗透率会越来越高。
4.3 有源晶振和无源晶振的选择逻辑
有源晶振内部集成了振荡电路,通电就输出方波,不需要外部负载电容和反馈电阻。无源晶振就是一个石英晶体,需要芯片内部的振荡器配合才能工作。
在手表里,32.768kHz几乎都是无源晶振,因为功耗极低,而且MCU内部已经集成了振荡电路。高速时钟部分,如果芯片内部没有集成振荡器,或者对频率精度要求特别高,就会用有源晶振。
有源晶振的优势是设计简单、精度高、起振快。缺点是功耗大、成本高、封装大。在手表这种对功耗和空间极度敏感的设备里,能不用有源就不用。但有些射频芯片确实需要外部有源晶振提供超低相噪的参考时钟,那就没得选。
下面这张表对比了三种常见方案在手表中的适用场景:
| 方案类型 | 典型频率 | 功耗 | 精度 | 设计复杂度 | 手表适用场景 |
|---|---|---|---|---|---|
| 无源石英晶振 | 32.768kHz | 极低 | ±20ppm | 中等 | RTC必备 |
| 无源石英晶振 | 24/32MHz | 低 | ±10ppm | 中等 | 蓝牙/主控 |
| 有源晶振 | 24/48MHz | 中等 | ±5ppm | 低 | 高端射频 |
| MEMS振荡器 | 可编程 | 低 | ±20ppm | 低 | 传感器/运动检测 |
5. 晶振相关常见问题与排查实录
5.1 手表走时不准的排查思路
走时不准是智能手表最常见的晶振相关问题。排查时按以下顺序进行:
第一步:确认是RTC问题还是系统时间同步问题。让手表断开蓝牙和Wi-Fi,静置24小时,对比标准时间。如果误差在几秒以内,说明RTC正常,问题出在网络同步。如果误差超过30秒,基本可以确定是32.768kHz晶振电路问题。
第二步:测量32.768kHz输出频率。用频率计或者示波器带频率测量功能,探头接在晶振的输出引脚或者RTC的时钟输出引脚。注意探头电容会影响频率,尽量用低电容探头(<10pF)。实测频率和标称频率的偏差就是频率误差。
第三步:检查负载电容。如果频率偏正,说明负载电容偏小;偏负则偏大。根据偏差量调整C1和C2。每次调整后重新测量,直到频率误差在±5ppm以内。
第四步:检查温度影响。把手表放在不同温度环境下(比如冰箱冷藏室和室温),观察频率变化。如果温度变化30度频率漂移超过50ppm,说明晶振的温度特性太差,需要换更高规格的晶振或者加温度补偿。
第五步:检查PCB布局。如果以上都正常但走时仍然不稳,就要怀疑布局问题。重点检查晶振下方是否有走线、地线是否完整、晶振是否靠近发热源。
5.2 晶振不起振的常见原因
晶振不起振是硬件调试中的经典问题,原因通常有以下几种:
驱动能力不足:MCU内部的振荡器增益不够,无法克服晶振的ESR。解决方法是换ESR更小的晶振,或者减小限流电阻Rs。
负载电容不匹配:电容太大导致环路增益下降,太小则频率偏移太大。用示波器看晶振引脚波形,如果正弦波幅度很小或者波形畸变,就是负载电容问题。
PCB漏电:晶振引脚之间的PCB表面如果有助焊剂残留或者湿气,会形成漏电通路,导致振荡器无法起振。用酒精清洗PCB并烘干后再试。
晶振损坏:静电击穿、机械应力、过驱动都会导致晶振损坏。换一颗新晶振试试,如果换了就好,说明原晶振已损坏。
芯片配置错误:有些MCU需要软件配置才能启用外部晶振,比如设置时钟源选择寄存器、使能振荡器、配置起振时间等。检查芯片手册确认配置正确。
实操心得:我遇到过一次晶振不起振,查了半天电路和布局都没问题,最后发现是MCU的时钟配置寄存器写错了,外部晶振使能位没有置1。这种问题最坑,因为硬件完全正常,但软件没给“启动信号”。所以排查时一定要软硬结合,先确认软件配置再动硬件。
5.3 晶振频率漂移的排查与解决
频率漂移比不起振更隐蔽,因为手表能走,但走不准。漂移的原因和解决方法如下:
| 漂移现象 | 可能原因 | 排查方法 | 解决方案 |
|---|---|---|---|
| 常温下频率偏正 | 负载电容偏小 | 测量实际负载电容 | 增大C1/C2 |
| 常温下频率偏负 | 负载电容偏大 | 测量实际负载电容 | 减小C1/C2 |
| 温度升高频率变负 | 晶振温度特性 | 高低温测试 | 换TCXO或补偿 |
| 频率随机跳动 | 噪声耦合 | 检查晶振下方走线 | 重新布局加屏蔽 |
| 老化后频率偏移 | 晶振老化 | 长期监测 | 换高品质晶振 |
| 摔落后频率突变 | 晶振机械损伤 | 更换晶振 | 换MEMS晶振 |
5.4 晶振布局的独家避坑技巧
布局问题导致的晶振故障往往最难排查,因为原理图看不出来,只有PCB实物才能发现问题。以下是我踩过坑之后总结的几条经验:
技巧一:晶振包地要完整。在晶振周围画一圈地线,并通过过孔连接到内层地平面。这圈地线要尽量宽,至少10mil。包地的作用是隔离外部电磁场,尤其是手表里的蓝牙天线辐射。
技巧二:负载电容的地回路要独立。C1和C2的接地端不要和数字电路的GND混在一起,应该单独走一根地线到芯片的GND引脚。数字电路的地噪声很大,混在一起会调制晶振频率。
技巧三:晶振走线不要换层。如果晶振走线从顶层换到底层,过孔的寄生电感会影响振荡器的工作。尽量在同一层完成晶振到芯片的连接。
技巧四:晶振下方铺地要完整。不要在晶振下方走任何信号线,包括低速信号。如果实在避不开,至少保证晶振正下方有一层完整的地平面。
技巧五:晶振远离板边。板边容易受到机械应力和外部电磁场的影响。晶振距离板边至少3mm。
技巧六:点胶固定。对于圆柱晶振,在焊接后用少量硅胶或UV胶固定在PCB上,防止振动导致引脚疲劳断裂。贴片晶振一般不需要,但如果产品有跌落要求,可以在晶振四角点胶。
6. 从拆解到设计:可穿戴设备晶振选型决策框架
6.1 按功能模块确定晶振需求
可穿戴设备的晶振选型应该从功能模块出发,而不是先选晶振再想怎么用。我的决策流程是这样的:
第一步:列出所有需要时钟的模块。典型手表包括RTC、蓝牙、Wi-Fi(部分型号)、GPS(部分型号)、主控MCU、传感器融合协处理器、显示屏控制器、触控控制器。
第二步:确定每个模块的时钟频率和精度要求。RTC需要32.768kHz,精度±20ppm即可。蓝牙需要24MHz或26MHz,精度±10ppm。GPS需要TCXO级别的精度,通常±0.5ppm到±2ppm。主控需要24MHz到48MHz,精度±30ppm即可。
第三步:判断哪些时钟可以共用。如果主控和蓝牙的参考时钟频率相同,可以共用一颗晶振,通过时钟缓冲器分配。但要注意负载效应,共用晶振时每个负载都会影响频率。
第四步:选择晶振类型。低频RTC用无源石英晶振,高频射频用无源石英晶振或TCXO,传感器用MEMS振荡器,低成本外设用陶瓷谐振器。
第五步:验证功耗预算。晶振的功耗虽然不大,但在手表里每一微安都重要。32.768kHz晶振的功耗通常在1μW以下,24MHz晶振的功耗在10mW左右。如果系统有严格的功耗预算,要优先选择低功耗晶振。
6.2 晶振供应商选择与来料检验
晶振市场鱼龙混杂,选供应商不能只看价格。我的经验是:
看规格书是否完整。正规供应商的规格书会给出频率精度、负载电容、ESR、温度特性、老化率、激励功率等完整参数。如果规格书只有频率和封装,其他参数都含糊其辞,这种晶振不要用。
看批次一致性。买不同批次的晶振,测量频率分布。如果批次间频率偏差超过5ppm,说明供应商的工艺控制不好,量产时会出问题。
看样品实测。拿到样品后,在标称负载电容下测量频率,在高温和低温下测量频率漂移,在振动台上测试频率稳定性。这些测试能筛掉大部分不合格供应商。
看来料检验。量产时每批晶振都要抽检频率和ESR。频率用频率计测,ESR用阻抗分析仪测。没有这些设备的话,至少要做上机测试,看起振是否正常、频率是否在允许范围内。
6.3 晶振电路的调试与验证流程
晶振电路设计完成后,调试和验证是保证量产一致性的关键。我通常按以下流程走:
第一轮:功能验证。焊接样板,上电后测量晶振输出频率,确认起振正常、频率在标称值±20ppm以内。用示波器观察波形,确认正弦波干净、无畸变。
第二轮:温度测试。把样板放入高低温箱,从-20摄氏度到60摄氏度循环,每个温度点稳定30分钟后测量频率。记录频率-温度曲线,确认在手表工作温度范围内(通常0到45摄氏度)频率偏差在允许范围内。
第三轮:振动测试。把手表固定在振动台上,按运动手表的振动标准(比如5Hz到500Hz扫频)测试,监测频率是否跳变。如果频率在振动时抖动超过10ppm,说明晶振固定不牢或者布局有问题。
第四轮:老化测试。在常温下连续通电30天,每天测量频率。老化率应该在±3ppm/年以内。如果老化太快,说明晶振激励功率过大或者晶振质量不好。
第五轮:批量一致性测试。小批量生产50到100块手表,测量每块的走时误差。如果走时误差分布太散,说明晶振电路对元件容差太敏感,需要优化设计。
6.4 晶振技术趋势与可穿戴设备的未来匹配
从拆解和设计实践来看,可穿戴设备的晶振技术正在往几个方向走:
更小封装:从3225到2016再到1612,晶振封装越来越小。但封装越小,ESR越大,起振越难,对振荡器设计的要求越高。
更低功耗:32.768kHz晶振的功耗已经很低了,但新一代产品还在追求更低的驱动电流。有些晶振的驱动电流已经降到100nA级别。
更高集成度:把晶振和振荡电路集成在一个封装里,甚至把多个频率的晶振集成在一个模块里。这样可以减少PCB面积和设计复杂度。
MEMS替代加速:随着MEMS晶振的相位噪声改善和成本下降,它在可穿戴设备中的渗透率会继续提高。尤其是运动手表和健康监测设备,MEMS的抗冲击优势太明显了。
温度补偿集成:TCXO在手表里的应用会越来越多,尤其是支持GPS的手表。把温度补偿电路集成到晶振封装里,可以简化设计并提高精度。
我在实际项目中最大的体会是,晶振选型不能只看参数表,一定要结合具体应用场景做取舍。32.768kHz晶振的负载电容匹配和布局是手表走时精度的命门,高速晶振的相位噪声和起振时间是蓝牙连接稳定性的关键,MEMS晶振的抗冲击特性是运动场景的保障。每一颗晶振背后都有一套设计逻辑,拆开手表看到的不只是元件,而是整个时钟树的设计哲学。
最后分享一个实用小技巧:如果你在调试晶振时手头没有频率计,可以用示波器的高分辨率模式测量32.768kHz信号的周期,然后取倒数得到频率。虽然精度不如频率计,但足够判断频率是否在允许范围内。测量时记得用低电容探头,并且探头地线要尽量短,否则探头本身的电容和电感会影响测量结果。