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一、芯片核心特性
芯片高端自举耐压可达 600V，适配高压母线半桥拓扑；低端供电 VCC 工作 5‑25V，兼容不同栅极电压的功率管。支持 3.3V、5V 单片机逻辑输入，IN 引脚内置 200K 下拉电阻，SD 引脚内置 500K 上拉电阻，引脚悬空也有确定电平，降低误触发概率。
输出拉电流 0.3A、灌电流 0.6A，满足中小功率 MOS 管栅极充放电，最高工作频率 500kHz。集成 VCC、VB 双路欠压保护，硬件死区典型 540ns，防止上下桥直通。SD 为低电平硬件关断，可强制关闭两路输出，实现快速故障保护。SOP‑8 体积小巧，无铅无卤符合 RoHS 标准，外围元件少，利于缩小 PCB 面积。
二、引脚功能说明（SOP‑8）
1脚 VCC 为芯片电源输入，工作电压 5‑25V，布板就近并联 0.1μF 高频滤波电容，抑制电源噪声。
2脚 IN 是逻辑输入引脚，接收 PWM 信号，控制半桥输出状态。
3脚 SD 为关断使能，低电平有效，拉低时强制 HO、LO 输出低，关闭上下桥功率管。
4脚 GND 为芯片信号地。
5脚 LO 是下桥 MOS 管栅极驱动输出。
6脚 VS 是高端悬浮参考地，接上下功率管的中点。
7脚 HO 是上桥 MOS 管栅极驱动输出。
8脚 VB 为高端悬浮自举电源引脚。
SD 控制优先级高于 IN。SD 拉低，无论 IN 电平如何，上下桥全部关断；SD 为高电平时，IN 输入低，则下桥导通；IN 输入高，则上桥导通。实际项目中可把 SD 接入 MCU，过流、过温故障时直接拉低，完成紧急停机保护。
三、内部架构与工作原理
芯片内部包含逻辑输入处理、死区控制、欠压检测、电平位移、脉冲滤波以及图腾柱输出驱动电路。IN 信号经过片内下拉电阻送入逻辑单元，SD 自带上拉电阻。芯片实时监测 VCC、VB 电压，电压低于阈值就锁死输出，避免功率管因驱动不足进入放大区而损坏。
电平位移电路将低压逻辑信号转换为 600V 域悬浮信号供给上桥驱动。硬件死区会在功率管切换时自动插入延时，典型 540ns，硬件层面规避上下管直通短路，无需软件额外设置死区，降低 MCU 程序开发负担。
四、自举电路与外围器件选型
EG2302 仅需一路 VCC 供电，依靠外接自举二极管、自举电容产生上桥驱动电源 VB，不需要额外隔离电源，节约 BOM 成本。
下管导通时，VS 接近地电位，VCC 通过自举二极管给自举电容充电；切换至上管导通，VS 抬升至高压母线，自举电容充当悬浮电源，驱动上桥 MOS 管。
自举二极管选用 FR107 这类快恢复二极管，耐压大于母线电压，禁止普通整流管。自举电容容量结合开关频率与 MOS 栅电荷选取，一般几十 nF。HO、LO 输出串联 10‑100Ω 栅极电阻，抑制栅极振荡，优化 EMI，阻值需要根据实际调试取舍。VCC 的 0.1μF 陶瓷电容要紧靠电源和地引脚放置。
五、关键电气参数与设计注意
测试条件：25℃，VCC=15V，负载电容 1nF。VCC 工作区间 5‑25V，欠压开启 4.6V、关断 4.2V；VB 欠压开启 3.5V、关断 3.1V。HO、LO 开通延时典型 700ns，关断延时 200ns，上升时间 75ns，下降时间 35ns。硬件死区固定 540ns，做 PWM 时序设计必须考虑该参数。
PCB 布局上 HO、LO 到 MOS 栅极走线尽量缩短，减小寄生电感。自举二极管、电容紧靠 VB、VS 摆放。VS 属于高压浮动节点，布线严格保证高压爬电距离。SD 既可以由 MCU 控制，也可外接硬件比较器，实现硬件级保护。不可超出芯片极限参数，VB 最高 600V，VCC 最大 25V，长期工作在极限条件会缩短芯片寿命甚至造成永久性损坏。