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讲二极管之前需要先了解PN结。

硅和锗这两种半导体材料是原子晶体，内部由原子通过共价键连接。

PN结内部P区有很多的多子：空穴（+）N区有很多的多子：电子（-）。

其中能自由移动的带点粒子都是载流子，P区空穴多，所以带正电的空穴是载流子，N区电子多，所以带负电的电子是载流子

由于浓度差，电子会从N区向P区扩散，空穴会从P区向N区扩散，在中间形成空间电荷区（耗尽层），同时产生一个由N指向P的内建电场。这个电场会阻止多子继续扩散，同时推动少子做漂移，最终扩散和漂移达到平衡。

加正向电压（P+N-），外电场方向从P指向N，与内建电场方向相反。削弱了耗尽层，多子的扩散增强，形成较大的正向电流。

加反向电压（P-N+），外电场方向从N指向P，与内建电场方向相同，增强了耗尽层，扩散被抑制，只有少量少子漂移形成反向饱和电流。