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一、芯片概述与产品定位

1.1 产品定位

LY62W6416B是台湾来扬科技（Lyontek inc.）推出的宽压低功耗CMOS静态随机存取存储器（SRAM）。它采用64K×16bit存储架构，总容量1,048,576 位（1Mb），以2.7V~5.5V宽工作电压为核心卖点，是少数能在5V系统中直接使用的16位低功耗SRAM。

核心特性一览：

LY62W6416B 的核心价值在于宽电压兼容性。市面上大多数 16 位低功耗 SRAM 仅支持 2.3V~3.6V 的窄电压范围，在 5V legacy 系统或 5V/3.3V 混合信号环境中无法直接使用。LY62W6416B 的 2.7V~5.5V 范围覆盖了从 3.3V 到 5V 的完整区间，无需电平转换即可接入 5V 总线。

1.2 核心优势

1. 2.7~5.5V 宽压工作：5V 系统直接可用，3.3V/5V 混合系统无需电平转换

2. 三档速度可选：45ns（高速）/ 55ns（中速）/ 70ns（经济），按需选型

3. LB#/UB# 字节控制：16 位全宽/8 位单字节/混合模式灵活切换

4. 1.5μA 超低待机：配合 CE# 控制实现近零功耗休眠

5. 双封装可选：TSOP II 适合标准 PCB，TFBGA（6mm×8mm）适合高密度设计

⚠️选型提示：本芯片与LY62L12816B（2Mb/3.3V 专用）为不同定位产品。如需 5V 兼容，必须选择 LY62W6416B；如为纯 3.3V 系统且需要更大容量，可考虑LY62L12816B。

二、核心电气参数

参数来源：Lyontek LY62W6416B Datasheet (May 2025)

2.1 基本参数表

2.2 逻辑电平参数

⚠️关键差异：LY62W6416B的VIH为0.5VCC（而非固定 2.2V），这意味着：

• 5V 系统：VIH = 2.5V，兼容标准5V TTL/CMOS

• 3.3V 系统：VIH = 1.65V，3.3V信号可直接驱动

输出驱动能力也更强：IOH=-2mA / IOL=4mA（对比LY62L12816B的 -1mA/2mA），5V 总线负载能力更优。

2.3 三档速度选型参考

选型公式：SRAM 访问时间 ≤ MCU 外部总线周期 × 0.8（留 20% 裕量）

三、字节控制功能详解

3.1 LB#/UB# 功能说明

LY62W6416B的LB#（Lower Byte）和UB#（Upper Byte）引脚允许对16位数据总线进行独立字节控制：

• LB# = 低电平：DQ0~DQ7（低 8 位）有效

• UB# = 低电平：DQ8~DQ15（高 8 位）有效

• LB# + UB# 都低：16 位全宽访问

3.2 字节控制真值表

3.3 数据保持的双通道控制

LY62W6416B 的数据保持可通过两种方式进入：

1. CE# ≥ VCC-0.2V→ 全部 DQ 进入保持

2. LB# + UB# ≥ VCC-0.2V→ 全部 DQ 进入保持（即使 CE#=L）

方式2提供了更细粒度的功耗管理——可以在不重新配置地址的情况下，通过控制 LB#/UB# 进入低功耗状态。

四、读写时序分析

4.1 读周期时序（Read Cycle）

读周期完整时序参数（45ns 版本）：

4.2 写周期时序（Write Cycle）

写周期完整时序参数（45ns 版本）：

⚠️关键设计注意：tBW = 35ns，表示 LB#/UB# 必须在写结束前 35ns 变为有效（低电平）。这是字节控制写操作的关键时序约束。

五、引脚定义与封装信息

5.1 引脚功能表

5.2 封装类型

封装一：44-pin 400mil TSOP II

封装二：48-ball 6mm×8mm TFBGA

5.3 引脚排列示意图（44-pin TSOP II，顶视图）

┌──────────────────────────┐ NC ──│ 44 43 │── A15 VCC ──│ 42 41 │── A14 A13 ──│ 40 39 │── A12 A11 ──│ 38 37 │── A10 A9 ──│ 36 35 │── A8 A7 ──│ 34 33 │── A6 NC ──│ 32 31 │── A5 WE# ──│ 30 29 │── A4 OE# ──│ 28 LY62W6416B 27 │── A3 UB# ──│ 26 25 │── A2 LB# ──│ 24 23 │── A1 CE# ──│ 22 21 │── A0 DQ15 ──│ 20 19 │── NC DQ14 ──│ 18 17 │── DQ0 DQ13 ──│ 16 15 │── DQ1 DQ12 ──│ 14 13 │── DQ2 DQ11 ──│ 12 11 │── DQ3 DQ10 ──│ 10 9 │── DQ4 DQ9 ──│ 8 7 │── DQ5 DQ8 ──│ 6 5 │── DQ6 VSS ──│ 4 3 │── DQ7 VSS ──│ 2 1 │── NC └──────────────────────────┘ ↓ Pin 1 标记侧

⚠️ 注：以上为根据功能框图和引脚描述整理的引脚排列示意图，用于开发参考。实际 PCB 设计请以 Lyontek 官方封装尺寸图为准。

六、硬件设计参考

6.1 5V 系统接线

LY62W6416B在5V系统中可直接连接：

5V MCU/FPGA LY62W6416BML ┌──────────────────┐ ┌──────────────────┐ │ │ │ │ │ A0-A15 │◄──────────────►│ A0-A15 │ │ (地址总线) │ 直连 │ │ │ │ │ │ │ D0-D15 │◄──────────────►│ DQ0-DQ15 │ │ (数据总线) │ 直连 │ │ │ │ │ │ │ RD#/OE │───────────────►│ OE# │ │ │ 直连 │ │ │ WR#/WE │───────────────►│ WE# │ │ │ 直连 │ │ │ CS#/CE │───────────────►│ CE# │ │ │ 直连 │ │ │ BHE#/UB │───────────────►│ UB# │ │ │ 直连 │ │ │ BLE#/LB │───────────────►│ LB# │ │ │ │ │ │ +5V │───────────────►│ VCC │ │ GND ×2 │───────────────►│ VSS (×2) │ │ │ │ │ └──────────────────┘ └──────────────────┘

6.2 3.3V 系统接线

与5V系统完全相同，仅VCC改为 3.3V：

STM32F4 (3.3V) LY62W6416B FSMC_A0-A15 ─────────────────────► A0-A15 FSMC_D0-D15 ─────────────────────► DQ0-DQ15 FSMC_NOE ─────────────────────► OE# FSMC_NWE ─────────────────────► WE# FSMC_NE1 ─────────────────────► CE# FSMC_NBL0 ─────────────────────► LB# FSMC_NBL1 ─────────────────────► UB# +3.3V ─────────────────────► VCC GND ×2 ─────────────────────► VSS (×2)

6.3 PCB Layout 建议

1. 地址/数据线长度匹配：A0-A15和DQ0-DQ15 走线长度差控制在25m以内
2. 去耦电容：VCC就近放置100nF + 10μF去耦电容对
3. 阻抗控制：数据线串接22~33Ω阻尼电阻
4. 字节控制线：LB#和UB#走线尽量短
5. TFBGA 封装：焊球间距0.8mm，需HDI工艺

七、功耗特性与低功耗设计

7.1 功耗参数

7.2 功耗估算

场景：5V系统，99%时间待机，1%时间满速工作（45ns 版）

平均电流 = 99% × 1.5μA + 1% × 14mA ≈ 1.49μA + 140μA ≈ 141.5μA 平均功耗 = 5V × 141.5μA ≈ 708μW

纯待机（5V）：

功耗 = 5V × 1.5μA = 7.5μW

💡设计建议：利用CE# 引脚控制芯片使能，MCU休眠前将CE# 拉高进入待机模式。如需更细粒度控制，可通过LB#/UB# 单独禁用某一字节通道。

八、数据保持与可靠性

8.1 数据保持特性

8.2 寿命特性

SRAM基于6T触发器存储单元，不存在写入磨损，理论上可无限次写入。如需掉电保持，需配合后备电池方案。

九、竞品横向对比

9.1 主流 64K×16 SRAM 参数对比

结论：LY62W6416B 是唯一同时支持5V工作电压和提供TFBGA小封装的64K×16低功耗SRAM。在5V/3.3V混合系统中有不可替代的优势。

十、典型应用场景

10.1 按行业分类

🏭 工业控制与自动化

• PLC 程序缓存、运动控制数据缓冲
• 5V/3.3V 混合信号工控系统
• -40℃~+85℃ 全温区稳定运行

🚗 汽车电子

• 车载信息娱乐系统音频缓存
• 车身控制模块（BCM）状态存储
• 5V 汽车级总线直接兼容

📡 通信与网络设备

• 路由器/交换机数据包缓冲
• 基站控制板配置参数存储
• 16 位宽度匹配通信处理器

🔬 仪器仪表

• 数字示波器波形缓存
• 多通道数据采集 FIFO
• 16 位 ADC 数据直连存储

🔋 电池供电设备

• 便携式医疗设备
• 智能电表数据缓存与掉电保护
• 1.5μA 待机延长电池续航

10.2 应用选型速查

十一、常见问题 FAQ

Q1：LY62W6416B 的主要参数是什么？

A：核心参数：64K×16bit 架构，总容量 1Mb；访问时间 45ns/55ns/70ns 三档；工作电压 2.7V~5.5V；待机电流 1.5μA（typ @25℃）/ 10μA（max @全温区）；数据保持电压 1.5V（最低）；温度范围 0~70℃（商业级）/ -40~85℃（工业级）；封装 44-pin TSOP II / 48-ball TFBGA；支持 LB#/UB# 字节控制。

Q2：能在 5V 系统中直接使用吗？

A：可以。LY62W6416B 工作电压 2.7V~5.5V，可直接在 5V 系统中使用。当 VCC=5V 时，VIH=0.5VCC=2.5V，兼容 5V TTL/CMOS 逻辑；VOH(min)=2.4V，IOH=-2mA / IOL=4mA，驱动能力满足 5V 总线负载要求。这是与大多数仅支持 3.3V 的 16 位 SRAM 最大的区别。

Q3：能在 3.3V 系统中使用吗？

A：可以。VCC=3.3V 时，VIH=0.5VCC=1.65V，3.3V CMOS 信号可直接驱动。VOH(min)=2.4V，在 3.3V 系统中留有 0.9V 噪声裕量，可靠性良好。

Q4：45ns / 55ns / 70ns 怎么选？

A：根据系统主频和成本预算。简单公式：SRAM 访问时间 ≤ MCU 外部总线周期 × 0.8（留 20% 裕量）。

• 16MHz 总线 → 周期 62.5ns → 可选 55ns 或 70ns

• 24MHz 总线 → 周期 41.7ns → 需要 45ns

• 成本敏感且速度要求不高 → 70ns 经济版

Q5：LB#/UB# 字节控制怎么用？

A：LB# 控制 DQ0~DQ7，UB# 控制 DQ8~DQ15。两引脚低电平有效：

• LB#=L + UB#=L → 16 位全宽访问

• LB#=L + UB#=H → 仅低字节访问

• LB#=H + UB#=L → 仅高字节访问

• LB#=H + UB#=H → 数据保持模式

STM32 的 FSMC 通过 NBL0/NBL1 自动管理，8051 通过 BHE#/BLE# 类似控制。

Q6：寿命有多长？

A：作为 SRAM 器件，具有无限次写入耐久性（无写入磨损）。数据保持需持续供电，最低保持电压 1.5V。配合后备电池可实现掉电数据不丢失。

Q7：温度范围是多少？

A：商业级 0℃~+70℃（型号无 I 后缀）和工业级 -40℃~+85℃（型号带 I 后缀）两种可选。

Q8：与 LY62L12816B 有什么区别？

A：LY62W6416B 是 1Mb/64K×16、支持 2.7~5.5V 宽压；LY62L12816B 是 2Mb/128K×16、仅支持 2.7~3.6V。需要 5V 兼容 → 选 LY62W6416B；纯 3.3V 且需要更大容量 → 选 LY62L12816B。

十二、订购信息与技术支持

12.1 订购型号

表格

12.2 官方资料

• 📄 LY62W6416B Datasheet (May 2025) — Lyontek Inc.

12.3 技术支持

宝星微科技 — Lyontek 来扬官方授权经销商

• ✅ 正品保障（原装现货/期货）

• ✅ 技术咨询（选型建议、电路审查）

• ✅ 样片申请（工程验证支持）

• ✅ 长期供货保障

🔔版权声明：本文为技术资料整理，所有参数均参考于 Lyontek LY62W6416B Datasheet。如涉及芯片采购，请通过正规授权渠道以确保产品质量。

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