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FT8371CQ-RT 是次边同步整流芯片，5V/3.2A（16W）六级能效电源优选，SOP-8、编带无卤（-RT）。FT8371CQ，FT8371AQ,FT8371BQ属于同一个系列，核心差异是内置 MOS 的导通电阻（Rdson）和电流 / 功率能力。

FT8371CQ应用场景
5V/3A～3.2A 快充适配器、六级能效充电器
机顶盒、路由器、IoT 设备 12～16W 电源
需高效率、低温升的反激电源（效率提升 3～5%）

FT8371CQ典型应用电路：

FT8371AQ 内置MOS规格 20mΩ 40V 编带FT8371AQ-RT,管装FT8371AQ-RB
FT8371BQ 内置MOS规格 15mΩ 40V 编带FT8371BQ-RT,管装FT8371BQ-RB
FT8371CQ 内置MOS规格 9mΩ 40V 编带FT8371CQ-RT,管装FT8371CQ-RB

与 AQ/BQ 对比（一眼选型）

管脚：

GND：地
VDD：电源（5V）
DRV：栅极驱动输出
DRAIN：MOS 漏极检测
VDET：输出电压检测
NC：空脚
NC：空脚
SOURCE：MOS 源极

FT8371CQ核心参数（C 档，最强功率）
内置 MOS：9mΩ/40V（全系最低导阻）
连续电流：13A；峰值电流：50A
典型功率：5V/3.2A（16W），替代 SS34 肖特基，损耗降约 17 倍
封装 / 包装：SOP-8；-RT = 编带卷装、RoHS 无卤无磷

FT8371CQ关键特性
支持 DCM/QR 反激，兼容主流原边控制器（如 FT8393x）
极简外围：无需自举电容、肖特基，仅需少量阻容
欠压检测 + 原边联动：输出偏低时发脉冲，动态响应 **<100μs**
防误触发：漏源电压检测，抑制激磁振荡误动作